liguan1218@163.com
15562450816
中文 | English
網(wǎng)站首頁
關(guān)于我們
公司簡介
企業(yè)文化
專利證書
產(chǎn)品展示
半導(dǎo)體工藝設(shè)備
化合物半導(dǎo)體設(shè)備
新聞資訊
公司新聞
行業(yè)資訊
招賢納士
管理理念
加入力冠
聯(lián)系我們
English
產(chǎn)品分類
氧化/擴(kuò)散/退火
立式爐
SiC高溫氧化爐
SiC高溫退火爐
臥式爐
CVD設(shè)備
立式LPCVD
臥式LPCVD
化合物晶體設(shè)備
SiC單晶生長設(shè)備
PVT法長晶爐
液相法長晶爐
籽晶粘接設(shè)備
GaN單晶生長設(shè)備
Ga2O3單晶生長及外延設(shè)備
導(dǎo)模法長晶爐
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術(shù)）
HVPE外延爐
金剛石單晶生長設(shè)備
GaAs / InP 單晶生長設(shè)備
聯(lián)系方式
地址：濟(jì)南市槐蔭區(qū)濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園
電話：15562450816
郵箱：liguan1218@163.com
坩堝下降爐
本設(shè)備主要用于砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物晶體生長。設(shè)備由機(jī)架、安瓿支撐機(jī)構(gòu)、加熱器和控制系統(tǒng)組成，能夠?qū)崿F(xiàn)安瓿移動和轉(zhuǎn)動的精確控制。
在線留言
擴(kuò)散/氧化/退火
Ga2O3單晶生長設(shè)備
Copyright ? 山東力冠微電子裝備有限公司
網(wǎng)站建設(shè)：中企動力 濟(jì)南二分 | 標(biāo)簽 | 營業(yè)執(zhí)照 | 城市分站
