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液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長，理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅(qū)動力來實(shí)現(xiàn)晶體的生長。
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